Apple планирует перейти на зарядные устройства на основе нитрида галлия

Переход на зарядные устройства на основе нитрида галлия (GaN) может осуществить Apple в 2021 году, сообщает 4 января портал DigiTimes.

Как пишет портал со ссылкой на свои источники, Apple планирует заказать у компании Navitas Semiconductor производство GaN-зарядных устройств. Компания Navitas Semiconductor входит в тройку лидеров по производству подобных устройств, хотя микросхемы для них будет заказывать у тайваньской фирмы TSMC.

Напомним, традиционные зарядные устройства основаны на кремниевых транзисторах. Устройства на основе нитрида галлия превосходят обычные по ряду параметров: они на 35-40% компактнее, но при этом сохраняют ту же мощность.

Также транзисторы на основе нитрида галлия выдерживают большие токи, чем кремниевые, и более устойчивы к высоким температурам.