Китайская YMTC начала массовый выпуск флеш-памяти следующего поколения
Массовое производство 128-слойной NAND флеш-памяти для твердотельных накопителей начала китайская YMTC, сообщил 2 августа портал Digitimes.
Микросхемы будут использоваться в твердотельных накопителях (SSD) марки Asgard, согласно источникам в отрасли.
Информация о начале массового производства появилось на фоне сообщений о технических сложностях на производстве и низком проценте выхода годных микросхем.
Напомним, впервые модули 128-слойной флеш-памяти YMTC представила в августе 2020 года. Тогда это произвело ошеломительный эффект, поскольку на этом уровне работали представители так называемой «большой тройки» производителей памяти — корейские Samsung и SK Hynix и американская Micron. Сейчас эти компании ушли вперед в технологическом плане и используют самые современные сканеры, работающие с жестким ультрафиолетом (EUV). Micron производит 176-слойную память. Samsung заявил, что готовит выпуск 200-слойной памяти.
Многослойная флеш-память позволяет размещать больше ячеек хранения информации на единицу площади, чем обычная планарная память. Сложность при разработке новых поколений такой технологии представляет собой соединение контактами микросхем, находящихся на разных слоях модуля. Самым широко распространенным способом соединения является высверливание сквозных отверстий во всех слоях модуля и соединением их методом металлизации получившегося канала. Однако с уменьшением размеров структур на платах и увеличением количества слоев увеличиваются требования к точности сверления и его деликатности, чтобы кремниевые слои не растрескались.
