Samsung начала работу над будущей оперативной памятью DDR6, GDDR6+ и GDDR7
Перспективную оперативную память общего назначения DRAM DDR6 и графических адаптеров GDDR6+ и GDDR7 готовит компания Samsung, 19 ноября сообщает немецкий интернет-журнал об информационных технологиях ComputerBase.
Пока память DDR5 завоевывает рынок, компания уже готовит следующее поколение. Сообщается, что перспективные модули появятся еще не скоро. В продаже их стоит ждать не ранее 2026 года.
Согласно стандарту комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при промышленной ассоциации Electronic Industries Alliance (EIA) Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), скорость памяти DDR6 составит 12,8 Гбит/с. С учетом разгона скорость может достигнуть и 17 Гбит/с.
Промежуточное поколение графической оперативной памяти GDDR6+ даст скорость выше, чем у существующего решения GDDR6X компании Micron Technology. Если у GDDR6X скорость достигает 21 Гбит/с, то у GDDR6+ будет до 24 Гбит/с. Для шины памяти 256 бит это даст максимальную пропускную способность 768 ГБ/с.
Следующее полноценное поколение графической оперативной памяти GDDR7 обеспечит скорость до 32 Гбит/с. Для шины 256 бит это обеспечит пропускную способность 1 Тб/с. Видеокарты с GDDR7 также появятся в продаже не ранее 2026 года.
