Samsung создала первую микросхему памяти DDR5 на 512 ГБ
Первый в отрасли модуль памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ разработала южнокорейская компания Samsung, 23 августа пишет TechRadar.
Новый чип памяти DDR5-7400 основан на стандартных спецификациях DDR5, но предлагает на 40% более высокую производительность с вдвое большей емкостью по сравнению с DDR4.
В своей презентации Samsung связала повышенную эффективность нового модуля памяти с использованием технологии обновления Same-Bank (SBR), которая помогает сделать модули как минимум на 10% более энергоэффективными по сравнению с DDR4-4200 type-RAM.
Другое нововведение в микросхеме памяти помогает Samsung увеличить ее емкость без увеличения физического размера. Компания утверждает, что складывает восемь микросхем плотностью 16 Гбит с помощью методов обработки тонких пластин, которые помогают ей сократить зазор между кристаллами до 40% и получить более тонкий профиль.
Тем не менее, DDR5 все еще находится на некотором отдалении от его потребительского использования, и Samsung не ожидает массового внедрения на рынок новой микросхемы памяти до 2023 или 2024 года.
