Швейцарская компания представила GaN-транзисторы с управлением и защитой

Семейство полевых транзисторов с интегрированными защитой и драйвером управления на основе нитрида галлия (GaN) STi2GaN представлены швейцарской компанией STMicroelectronics, 10 мая сообщается на сайте сообщества инженеров-электронщиков All About Circuits.

Новые транзисторы предназначены для применения в электромобилях. Совмещение в едином модуле полевого транзистора, драйвера управления и силовой защиты позволяет минимизировать занимаемое типовым узлом пространство в электронных узлах и системах транспортных средств.

В частности, транзисторы предполагается использовать для питания специализированных микросхем (ASIC) электромобилей. Подробные характеристики компонентов компания пока не разглашала.

Другими особенностями семейства транзисторов являются применение двустороннего пассивного охлаждения, что заметно улучшает отвод тепла, и новая упаковка узла, защищающая от электромагнитных помех.

Нитрид галлия становится все более популярным материалом в силовой электронике. Он может работать при более высоких высоких температурах и на больших частотах, чем аналоги на арсениде галлия. Следовательно, может использоваться для управление цепями с большим током.

Кроме того, GaN не токсичен при нагревании. Другой особенностью является широкая запрещенная зона, что позволяет создавать более компактные устройства из-за достаточности узкой обедненной зоны. По сравнению с кремниевыми аналогами обеспечивает в 100 большую скорость переключения.

Отрицательными сторонами GaN-транзисторов являются техническая сложность — не так давно появилась технология, позволяющая сделать такие транзисторы нормально-закрытыми, и высокая стоимость.