Imec добился снижения шага межкристальных соединений до 2 мкм

Возможность размещения контактных площадок с шагом 2 мкм и точностью позиционирования 350 нм обеспечил международный научно-исследовательский центр микроэлектроники (imec), 31 мая пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Разработанный процесс позволяет обеспечивать соединения меди и карбонитрида кремния (SiCN, полупроводник с широкой запрещенной зоной — прим. ИА Красная Весна) с шагом размещения контактов 2 мкм и точностью 350 нм.

По словам исследователей, потенциально можно уменьшить шаг контактов до 400 нм и даже до 200 нм в перспективе. Для сравнения, теоретический предел пайки контактов по разным оценкам — от 10 до 5 мкм.

Такое уплотнение соединений между кристаллом и подложкой даст новые возможности по формированию сложных многокристальных систем на подложке. В частности, это нужно для интеграции большего объема памяти в один корпус с различными вычислительными узлами.