Ученые предложили концепцию магнитоэлектрической ячейки оперативной памяти

Концепцию транзистора для оперативной памяти, основанную на спиновом магнитном моменте, предложили исследователи Университета штата Нью-Йорк в Буффало, 14 апреля новостной портал о науке ZME Science.

Значения записываются и считываются из ячейки такой памяти с помощью ориентации спинов в подложке транзистора. Такой подход позволяет сделать ячейки намного компактнее и снизить затраты электроэнергии.

Исследователи нанесли атомарный слой графена на поверхность антиферромагнитной подложки из оксида хрома Cr₂O₃. Графен выступает в качестве транспорта, а ориентация спинов происходит в оксиде хрома.

Электроны в слое графена четко реагировали на изменение спинов в слое оксида хрома. Результат фиксируется, в том числе, при комнатной температуре. Состояние ячейки хранится даже после отключения питания.

Такие транзисторы позволяют в перспективе могут послужить хорошим решением для построения модулей оперативной памяти. Впрочем, пока получены лишь первые результаты и до практического применения предстоит сделать большое число исследований и экспериментов.